- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 176W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极电流(Ic) | 80A | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | - | |
| 输入电容(Cies) | 3.15nF@25V | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
超级结MOSFET Q1、Q4：漏源极击穿电压V_DSS = 600V；在壳温Tc = 80°C时，漏极电流I_D = 29A。所有多个输入和输出必须短接在一起，例如：10/11/12；7/8 …
商品特性
- Q2、Q3为沟槽+场截止IGBT3
- 低压降
- 低尾电流
- 开关频率高达20kHz
- 低漏电流
- 反向偏置安全工作区（RBSOA）和短路安全工作区（SCSOA）额定
- Q1、Q4超级结MOSFET：超低导通电阻RDSon
- 低米勒电容
- 超低栅极电荷
- 雪崩能量额定
- 非常坚固
- 开尔文发射极，便于驱动
- 极低杂散电感
- 高度集成
- 内置热敏电阻用于温度监测
- 温度特性稳定
- 非常坚固
- 可直接安装到散热器（隔离封装）
- 低结到壳热阻
- 低外形
- 符合RoHS标准
应用领域
太阳能转换器、不间断电源
- 2825274-6
- EKMC2607113K
- SIT8208AI-2F-25S-40.000000T
- SIT9121AC-2D3-33E80.000000
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- 293153-3
- MS3437B28A
- 564BAJD002349BCG
- XPCWHT-L1-R250-00BE1
- IHLE4040DDEW6R8M5A
- 110431-HMC516LC5
- SIT8208AI-81-18S-16.000000
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