商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 355W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极电流(Ic) | 110A | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 2.15V@15V,75A | |
| 输入电容(Cies) | 5.35nF@25V | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃@(Tj) |
商品特性
- 沟槽IGBT技术
- 低饱和电压
- 低开关损耗
- 方形反向偏置安全工作区，无闩锁
- 高短路能力
- 正温度系数，便于并联
- MOS输入，电压控制
- 超快速续流二极管
- 可焊接引脚，用于PCB安装
- 带铜基板的封装
应用领域
交流电机驱动、太阳能逆变器、医疗设备、不间断电源、空调系统
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