商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 355W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极电流(Ic) | 110A | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 2.15V@15V,75A | |
| 输入电容(Cies) | 5.35nF@25V | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃@(Tj) |
商品特性
- 沟槽IGBT技术
- 低饱和电压
- 低开关损耗
- 方形反向偏置安全工作区,无闩锁
- 高短路能力
- 正温度系数,便于并联
- MOS输入,电压控制
- 超快速续流二极管
- 可焊接引脚,用于PCB安装
- 带铜基板的封装
应用领域
交流电机驱动、太阳能逆变器、医疗设备、不间断电源、空调系统
- 09652626816
- SWC-1.4-220
- HTSS-120-04-L-D-RA
- 5-292230-7
- 628-M09-223-BN3
- BAV99BRW-TP
- 1731090303
- 474834-E
- SG-8018CE 125.0010M-TJHSA0
- CVCO55CC-0787-0805
- 2400-0-15-80-47-80-04-0
- 25QHM572C0.5-13.560
- SG-8018CG 27.1900M-TJHSA0
- 0464-1-15-80-10-14-04-0
- 802-4
- 687-655-13
- JANTXV1N4981C
- SK-GEN4-70D-SB-PI
- 1N3266R
- SIT8208AI-23-25E-26.000000
- 0936010767

