- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MIP50R12E2ATN-BP
IGBT模块，低开关损耗、低Vce(sat)、正温度系数，含快速软恢复反并联FWD，低电感外壳，高短路能力
- 品牌名称
- MCC(美微科)
- 商品型号
- MIP50R12E2ATN-BP
- 商品编号
- C17539621
- 商品封装
- E2A
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 288W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 50A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 100A | |
| 集电极截止电流(Ices) | 1mA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.9V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 350nC | |
| 输入电容(Cies) | 2.6nF@25V | |
| 反向传输电容(Cres) | 100pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 168ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 320ns | |
| 导通损耗(Eon) | 5.42mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 4.15mJ | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 低开关损耗
- 具有正温度系数的低Vce(sat)
- 包含快速且软恢复的反并联FWD
- 低电感外壳
- 高短路能力（10μs）
- 最高结温175℃
- 环氧树脂符合UL 94 V - 0阻燃等级
- 无铅表面处理/符合RoHS标准（“P”后缀表示符合RoHS标准，详见订购信息）
应用领域
电机驱动器、交流和直流伺服驱动放大器、不间断电源（UPS）
- RSF2B-302-JBW
- SIT8208AI-31-18S-66.666000
- XHP50B-00-0000-0D0UH235G
- 15SH-A-07-TR
- 1301550155
- CBL-GROM-08-50
- DAMG11C1PJK87
- FR40BR02
- 3QHM53C0.125-46.49596
- 380-40-155-00-001000
- 10118940-026LF
- 1.15114.9660000
- SIT9365AC-1B3-25N77.760000
- ABD420NUR
- 725204
- 273X
- SIT9365AI-1B1-28E150.000000
- 2727-12H
- SXO53P3A171-200.000M
- 1256-EMS
- 1-1971954-2