GA100SBJT12-FR4

GeneSiC双脉冲测试板专为对各种硅和碳化硅功率晶体管进行开关测试而设计。它采用低ESL电容器和PCB走线设计，具有低寄生串联电感（LS）电流路径，这使得记录的数据能最真实地反映被测器件（DUT）的特性，并将测试电路的失真降至最低。该测试板能够承受高达1200 V的电压和100 A的电流。用户提供的外部负载电感器、被测器件和续流二极管（FWD）可以直接焊接到测试板上，无需测试插座，以实现尽可能低的接触电阻和电感。栅极驱动电路板可以直接安装在测试板上，为被测器件的栅极引脚连接提供短而低电感的路径。

• 1200 V、100 A测试能力
• 低串联电感设计
• 宽6 oz.铜电流走线
• 多个被测器件和续流二极管连接，保证耐用性
• 低电阻和电感的栅极驱动连接

• 碳化硅结型晶体管（SJT）
• 碳化硅MOSFET
• 硅功率MOSFET
• 快速硅IGBT