商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 技术路线 | E-mode | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 730pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 525pF;445pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ |
- 0741620064
- 3505-28B
- TFM-105-22-S-D-K-TR
- 3352P-1-254
- LK204-25
- 8-969484-7
- XTEAWT-00-0000-00000LGE6
- 637E133A6C3T
- SPHWHTL3D50CE4PTPF
- 70043-09
- 175-240-JTW
- 2314503-1
- 1731121247
- C50T
- 09930006263
- F20A090053600060
- ASA-16.000MHZ-L-T
- 31_BNC-75-0-1/133_NE
- SG-8018CG 79.944640M-TJHSA0
- SG-8018CA 58.3200M-TJHPA0
- SG-8018CB 9.1200M-TJHSA0


