商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | - | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85Ω | |
| 漏源电流(Idss) | 195mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+135℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| FET类型 | P沟道 |
- 5-641120-3
- 2302491-3
- GCM1885G2A121FA16D
- SG-8018CA 50.3600M-TJHPA0
- SIT9365AI-2B1-33N74.175824
- TFM-113-02-S-D-LC
- 553-0311-300F
- SIT8208AI-82-25E-25.000625
- 25QHM53D0.5-66.66666
- 3352T-1-252
- SXO53C3B481-25.000M
- LV8011V-TLM-E
- 1301470038
- SIT8008AC-23-33E-46.977848E
- SG-8018CG 56.9600M-TJHPA0
- QSCF500Q3R3C1GV001T
- 600B005-36R
- AWVS00505040330M00
- SIT9121AC-2D3-25E160.000000
- 25QHM572D2.0-38.707
- XK-VF3000-L33-AVS