- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 431W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极电流(Ic) | 118A | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 沟槽栅场截止
- 方形反向偏置安全工作区
- HEXFRED低Qrr、低开关能量，符合RoHS标准
- 正VCE(on)温度系数
- 铜基板
- 低杂散电感设计
- 材料分类：合规定义请见www.vishay.com/doc?99912
- 630-8W8-640-1TD
- BPSC00070734101M00
- 20GEEW3E
- XQAAWT-00-0000-00000L5E1
- MX6AWT-A1-0000-000B53
- SIT1602BI-81-XXN-38.000000
- VS-87HF80
- 654P4335C3T
- SHF-116-01-L-D-RA
- TFM-120-12-L-D
- 3QHM53D3.0-25.00125
- 627W9W4-224-1N2
- 3QHM572D0.25-59.942
- MHP-TAC15-12-82N
- XD16AWT-P0-0000-00000UE4E
- 530HC161M133DGR
- TST-108-01-L-D-01
- 182-009-213R171
- 0015800509
- BKT-141-01-F-V-S-A-P-TR
- LFSPXO056298REEL