- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 170V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 耗散功率(Pd) | 600W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 160pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.6pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 40pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±40V |
商品概述
VRF148A是一款镀金硅N沟道射频功率晶体管,专为需要高功率和高增益,同时不牺牲可靠性、耐用性或互调失真的宽带商业应用而设计。
商品特性
- 增强耐用性 V(BR)DSS = 170 V
- 在30MHz、50V条件下,输出功率30W,典型增益20dB
- 在175MHz、50V条件下,输出功率30W,典型增益16dB
- 出色的稳定性和低互调失真
- 共源极配置
- 可提供配对产品
- 在规定工作条件下,负载电压驻波比(VSWR)可达30:1
- 采用氮化物钝化工艺
- 难熔镀金工艺
- 可替代高电压MRF148A
- 符合RoHS标准
- LTMM-106-02-G-D-SM-LC
- 8D025W24PA-LC
- 1544400000
- PTHF100R-50H
- 621-025-360-556
- SIT8208AC-81-33E-37.500000
- RD9S10JV30/AA
- SIT9365AC-4E3-25N125.000000
- CBRHD-06 TR13 PBFREE
- TAU1202E-EVK-A00
- SIT8256AC-2F-18E-156.257812T
- SIT8208AI-8F-28S-14.000000T
- S3A3310-125.000-L-X-R
- ZSS-132-03-S-D-702
- RC0603F2671CS
- CB3LV-3I-40M960000
- 150-10-320-00-006101
- 3QHM53C0.5-66.6667
- SIT1602BC-71-18E-4.096000
- SIT8208AC-8F-28E-30.000000X
- CTV06RW-15-35PC-LC