商品参数
参数完善中
商品特性
- 非反射式,50 Ω 设计
- 高隔离度:57 dB 至 2 GHz
- 低插入损耗:0.9 dB 至 2 GHz
- 高输入线性度 1 dB 功率压缩点(P1dB):典型值 34 dBm
- 三阶截点(IP3):典型值 52 dBm
- 高功率处理能力:通过路径 33.5 dBm,终止路径 26.5 dBm
- 单正电源:3 V 至 5 V
- CMOS/TTL 兼容控制
- 全关闭状态控制
- 8 引脚 mini small outline 封装,带裸露焊盘(MINI_SO_EP)
应用领域
- 蜂窝/4G基础设施
- 无线基础设施
- 移动无线电
- 测试设备
- 5962-0420501HXA
- 184042-2
- SIT8208AI-31-28S-4.096000
- 620MS065M09
- SIT8208AC-8F-33E-25.000625T
- 516-038-520-542
- SIT9365AC-1E1-25E161.132813
- 09670029104
- MS3437C38C
- TZQ5224B-GS08
- MTG0300C
- SG-8018CE 18.4322M-TJHSA0
- SRR1210A-220M
- 1-965102-1
- RSF1A-R56-JTW
- MIL1330-64K
- SIT8918BA-23-33E-26.214400
- SIT9365AC-4E1-28N322.265625
- STM065C5Q
- MHT1801B
- SIT1602BC-82-18N-38.400000

