商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 晶闸管(可控硅)/模块 | |
| 可控硅类型 | 1个单向可控硅 | |
| 断态峰值电压(Vdrm) | 200V | |
| 通态电流(It) | 20A | |
| 通态峰值电压(Vtm) | 1.9V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 门极触发电流(Igt) | 25mA | |
| 门极触发电压(Vgt) | 2V | |
| 保持电流(Ih) | 50mA | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品特性
- 重复峰值断态电压(TJ = +100°C):NTE5514为200V,NTE5515为400V,NTE5516为600V
- 重复峰值反向电压(TJ = +100°C):NTE5514为200V,NTE5515为400V,NTE5516为600V
- 均方根通态电流(TC = +75°C)为20A
- 峰值浪涌(非重复)通态电流(一个周期,50Hz或60Hz)为200A
- 峰值门极触发电流(3μs最大值)为20A
- 峰值门极功率耗散(IGT ≤ IGTM,3μs最大值)为20W
- 平均门极功率耗散为0.5W
- 工作温度范围为 -40°C至 +150°C
- 储存温度范围为 -40°C至 +100°C
- 典型热阻,结到外壳为1.3°C/W
- SPMWH1228FD7WAVMSA
- DBMY9W4SK126
- CMB1306-0000-000N0U0A27G
- XG5M-1435-N
- MM-223-037-275-320R
- 654L8733I3T
- SIT9365AI-1E1-25N148.351648
- SG-8018CE 167.331650M-TJHSA0
- TFC-145-32-LM-D-A
- BPAS00080845100T00
- 09675098775
- BPSD00080735271K00
- FN9299-4-06
- XPLAWT-02-0000-000UU20E7
- 531713-4
- RCS2012F2373CS
- AT-XPLR10-C
- 516-020-520-111
- SIT8208AC-2F-28E-32.768000Y
- 2-2029131-2
- SIT1602BC-72-30E-19.200000

