EVQ1925-R-00A
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 其他模块 | |
| 类型 | 电源管理 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 欠压保护 |
商品概述
EVQ1925 - RE - 00A评估板旨在展示MPQ1925(一款高频半桥栅极驱动器)的性能。MPQ1925在12V VDD电压下,源电流为3A,灌电流为4.5A。静态电流(IQ)低于150μA。
MPQ1925集成的自举(BST)二极管减少了外部元件数量。该器件的低端MOSFET(LS - FET)和高端MOSFET(HS - FET)驱动通道可独立控制,且时间延迟匹配在5ns以内。在电源不足的情况下,器件的HS - FET和LS - FET欠压锁定(UVLO)保护会将输出拉低。
MPQ1925采用小型QFN - 8(4mm×4mm)封装。它专为电机驱动器和其他功率控制应用而设计,如电信半桥电源、直流/直流转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器。
EVQ1925 - R - 00A配置为降压转换器。INH和INL是独立信号,需要互补的脉冲宽度调制(PWM)和适当的死区时间(DT)。
应用领域
电机驱动器、电信半桥电源、直流/直流转换器、双开关正激转换器、有源钳位正激转换器
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