MRFX1K80HR5178
RF功率LDMOS晶体管
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- 描述
- 高坚固性N通道增强型横向MOSFET，适用于医疗、广播和移动无线电应用。
- 品牌名称
- NXP(恩智浦)
- 商品型号
- MRFX1K80HR5178
- 商品编号
- C17527200
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 其他接口 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品特性
- 无与伦比的输入和输出，允许宽频率范围利用
- 器件可以单端使用或在推挽配置中使用
- 最高支持65 VDD工作电压
- 在30至65 V范围内进行特性测试，以扩展电源范围
- 高击穿电压，提高可靠性
- 适合线性应用，具有适当的偏置
- 集成ESD保护，具有更大的负栅源电压范围，改善C类操作
- 过模塑料封装中的低热阻选项：MRFX1K80N
- 纳入恩智浦产品长期计划，保证至少15年的供应
应用领域
- 工业、科学、医疗（ISM）
- 激光生成
- 等离子体生成
- 粒子加速器
- MRI、射频消融和皮肤治疗
- 工业加热、焊接和干燥系统
- 无线电和VHF电视广播
- HF通信
- 雷达
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