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ALD212908APAL

2个N沟道耐压:10.6V 电流:80mA

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品牌名称: ALD
商品型号: ALD212908APAL
商品编号: C17527073
商品封装: PDIP-8
包装方式: 管装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

ALD212908A/ALD212906是一款精密增强型N沟道EPAD MOSFET阵列，采用ALD成熟的EPAD CMOS技术在工厂进行了精确匹配。这两款四芯片单芯片器件是ALD212908A/ALD212908 EPAD MOSFET系列的增强产品，具有更高的正向跨导和输出电导，特别是在非常低的电源电压下。该器件适用于低电压、低功耗的小信号应用。ALD212908A/ALD212905具有精确的阈值电压，可设计具有参考增强工作电压范围的输入/输出信号电路。使用这些器件，可以构建在极低电源/偏置电压水平下工作的多级级联电路。例如，已使用这些器件成功构建了工作在1.0V以下电源电压的纳瓦级输入放大器级。 ALD212908A EPAD MOSFET具有出色的匹配电气特性，栅极阈值电压VGS(th)精确设置为+0.80V ± 0.01V。在VDS = 0.1V、IDS = +20μA时，典型失调电压仅为±0.001V（1mV）。它们集成在单个单芯片上，具有出色的温度跟踪特性。这些精密器件广泛用作设计组件，适用于各种模拟小信号应用，如电流镜、匹配电路、电流源、差分放大器输入级、传输门和多路复用器等基本构建模块。它们在工作电压受限的应用中也表现出色，如极低电平电压钳位和纳瓦级恒流电路。除了精确匹配的电气特性外，每个单独的EPAD MOSFET还具有良好的可控制造特性，使用户能够依赖不同生产批次的严格设计限制。这些器件设计用于实现最小失调电压和差分热响应，可用于+0.1V至+10V（±0.05V至±5V）电源系统中的开关和放大应用，这些应用需要低输入偏置电流、低输入电容和快速开关速度。当VGS > +0.80V时，器件表现出增强模式特性；而当VGS < +0.80V时，器件在亚阈值电压区域工作，呈现传统的亚阈值特性，具有良好的可控关断和亚阈值水平，与标准增强模式MOSFET的工作方式相同。 ALD212908A/ALD212908具有高输入阻抗（2.5×10¹⁰Ω）和高直流电流增益（>10⁸）。提供了一系列名为“正向传输特性”的四张图表，第二和第三个副标题分别为“扩展（亚阈值）”和“进一步扩展（亚阈值）”，第四个副标题为“低电压”，展示了这些器件的宽动态工作范围。

商品特性

精确的VGS(th) = +0.80 V \pm 0.010 V
VOS(VGS(th)匹配)最大为2 mV / 10 mV
亚阈值电压(微功耗)工作
最小工作电压< 800mV
最小工作电流< 1nA
最小工作功率< 1nW
工作电流范围>100,000,000:1
高跨导和输出电导
低RDS(ON),为14Ω
输出电流>50 mA
匹配和跟踪的温度系数
严格的批次间参数控制
正、零和负VGS(th)暂态特性
低输入电容和泄漏电流

应用领域

-低开销电流镜和电流源-零功耗常开电路-能量收集电路-极低电压模拟和数字电路-零功耗故障安全电路-备用电池电路和电源故障检测器-极低电平电压钳位-极低电平过零检测器-匹配的源极跟随器和缓冲器-精密电流镜和电流源-匹配的电容式探头和传感器接口-电荷检测器和电荷积分器-高增益差分放大器输入级-匹配的峰值检测器和电平转换器-多通道采样保持开关-精密电流倍增器-离散匹配模拟开关/多路复用器-微功耗离散电压比较器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	2个N沟道
	漏源电压(Vdss)	-
	连续漏极电流(Id)	79mA
	导通电阻(RDS(on))	14Ω@5.8V
	耗散功率(Pd)	500mW
	阈值电压(Vgs(th))	800mV

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	-
	输入电容(Ciss)	-
	反向传输电容(Crss)	2pF
	工作温度	0℃~+70℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	-