温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

ALD212908APAL

2个N沟道耐压:10.6V 电流:80mA

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样

私有库下单最高享92折

品牌名称: ALD
商品型号: ALD212908APAL
商品编号: C17527073
商品封装: PDIP-8
包装方式: 管装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

ALD212908A/ALD212908精密增强型N沟道EPAD MOSFET阵列采用ALD成熟的EPAD CMOS技术在工厂进行精密匹配。这些四通道单片器件是ALD212908A/ALD212908 EPAD MOSFET系列的增强型产品,具有更高的正向跨导和输出电导,特别是在非常低的电源电压下。 ALD212908A/ALD212908适用于低电压、低功耗小信号应用,其特点是具有精确的阈值电压,可实现输入/输出信号参考增强型工作电压范围的电路设计。使用这些器件,可以构建具有多个级联级的电路,以在极低的电源/偏置电压水平下工作。例如,使用这些器件已成功构建了一个工作在低于1.0V电源电压下的微功耗输入放大器级。 ALD212908A EPAD MOSFET具有出色的匹配对电气特性,栅极阈值电压VGS(th)精确设置为+0.80V \pm 0.01V,在VDS = 0.1V时IDS = +20\mu A,典型失调电压仅为\pm 0.001V(1mV)。它们基于单个单片芯片构建,还具有出色的温度跟踪特性。这些精密器件作为设计组件用途广泛,适用于各种模拟小信号应用,如电流镜、匹配电路、电流源、差分放大器输入级、传输门和多路复用器的基本构建模块。它们在有限工作电压应用中也表现出色,如极低电平电压钳位和微功耗常开电路。除了精密匹配对电气特性外,每个单独的EPAD MOSFET还具有良好控制的制造特性,使用户能够依赖不同生产批次的严格设计限制。这些器件设计用于实现最小失调电压和差分热响应,可用于+0.1V至+10V(\pm 0.05V至\pm 5V)供电系统中的开关和放大应用,这些系统需要低输入偏置电流、低输入电容和快速开关速度。当VGS> +0.80V时,器件呈现增强型特性;而当VGS< +0.80V时,器件在亚阈值电压区域工作,呈现传统的亚阈值特性,具有良好控制的关断和亚阈值电平,其工作方式与标准增强型MOSFET相同。 ALD212908A/ALD212908具有高输入阻抗(2.5 x 10^10Ω)和高直流电流增益(>10^8)。一系列四张名为“正向传输特性”的图表,其中第二张和第三张副标题为“扩展(亚阈值)”和“进一步扩展(亚阈值)”,第四张副标题为“低电压”,展示了这些器件的宽动态工作范围。

商品特性

精确的VGS(th) = +0.80 V \pm 0.010 V
VOS(VGS(th)匹配)最大为2 mV / 10 mV
亚阈值电压(微功耗)工作
最小工作电压< 800mV
最小工作电流< 1nA
最小工作功率< 1nW
工作电流范围>100,000,000:1
高跨导和输出电导
低RDS(ON),为14Ω
输出电流>50 mA
匹配和跟踪的温度系数
严格的批次间参数控制
正、零和负VGS(th)暂态特性
低输入电容和泄漏电流

应用领域

-低开销电流镜和电流源-零功耗常开电路-能量收集电路-极低电压模拟和数字电路-零功耗故障安全电路-备用电池电路和电源故障检测器-极低电平电压钳位-极低电平过零检测器-匹配的源极跟随器和缓冲器-精密电流镜和电流源-匹配的电容式探头和传感器接口-电荷检测器和电荷积分器-高增益差分放大器输入级-匹配的峰值检测器和电平转换器-多通道采样保持开关-精密电流倍增器-离散匹配模拟开关/多路复用器-微功耗离散电压比较器

数据手册PDF

放大查看下载PDF

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	2个N沟道
	漏源电压(Vdss)	-
	连续漏极电流(Id)	79mA
	导通电阻(RDS(on))	14Ω@5.8V
	耗散功率(Pd)	500mW
	阈值电压(Vgs(th))	800mV

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	-
	输入电容(Ciss)	-
	反向传输电容(Crss)	2pF
	工作温度	0℃~+70℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	-