温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 200mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 40V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 100 | |
| 特征频率(fT) | 300MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 50nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 400mV | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- VCEO = -40V，I10 = -200mA
- 外延平面芯片结构
- 非常适合自动化组装工艺
- 完全无铅且完全符合RoHS标准（注1和注2），无卤素和锑，“绿色”器件（注3）
- 超小封装，封装类型：SOT963
- 外壳材料：模塑塑料，“绿色”模塑料，UL可燃性分类等级94V - 0
- 湿度敏感度：符合J - STD - 020的1级
- 引脚：表面处理为镀哑光锡退火铜引脚框架，可焊性符合MIL - STD - 202方法208
- 重量：约0.0027克
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