商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 50mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 150 | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 10uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 250mV | |
| 工作温度 | -65℃~+200℃ |
商品概述
本规格涵盖了作为一个双单元的两个电气隔离、匹配的PNP硅晶体管的性能要求。根据MIL - PRF - 19500的规定，每种封装器件类型提供四个级别的产品保证，每种非封装器件类型提供两个级别的产品保证。辐射硬度保证（RHA）级别的指示符“M”、“D”、“P”、“L”、“R”、“F”、“G”和“H”会附加到器件前缀以识别通过RHA要求的器件。
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