商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 23A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 62.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.09nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.5pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
这些具备本征快速恢复体二极管的FDmeshTM II功率MOSFET采用第二代MDmeshTM技术制造。这些创新型器件采用新型条形布局垂直结构,具有极低的导通电阻和卓越的开关性能。它们非常适合用于桥式拓扑和零电压开关(ZVS)移相转换器。
商品特性
- 本征快速恢复体二极管
- 100%雪崩测试
- 低输入电容和栅极电荷
- 低栅极输入电阻
- 极高的dv/dt和雪崩能力
应用领域
- 开关应用
- 9001K3L38LRRH13
- ECS-2016MV-500-BN-TR3
- MWDM1L-51SCBRPT-.110
- 2016442260
- 5-104319-7
- EW3Z0000086-C
- 10HPSNS1-NG
- SG5032CAN 6.250000M-TJGA3
- 963062-1
- PTHF330R-50H
- 500T010M37H09K
- 629-M25-240-WT2
- 499913-9
- TBL007A-508-07GY
- AD9530/PCBZ
- KF22X-B25S-N
- XEGACY-H0-0000-000-000000S8001
- SIT8920BM-73-33E-20.000000
- SG-8018CG 57.7350M-TJHPA0
- SC3316C-151
- SIT1602BC-71-28N-40.500000