商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 200W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
- SIT8209AI-32-25S-133.333000
- SIT9365AI-2B3-28N153.600000
- SIT1602BC-73-33S-66.000000
- 25QHM53C1.0-160.000
- 661-005NF18N-59B
- 5615701090F
- Q-716-RA
- 0936010451
- 0349-4-31-80-34-80-10-0
- MS3437C11C
- 2954-0-18-15-30-14-10-0
- 530BC875M000DG
- SIT9365AC-2B1-25E98.304000
- 598BCA000360DG
- SIT8208AI-83-25S-50.000000
- SIT1602BC-33-25N-75.000000
- SIT8918AE-11-33E-25.000000
- 21850081
- IACM-5
- SIT9365AI-1E2-33E160.000000
- 8D015S15PA-LC

