商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 550mΩ@2V | |
| 耗散功率(Pd) | 33W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
MSCSM120DDUM16CTBL3NG器件是一款双路双共源1200 V/150 A碳化硅（SiC）MOSFET功率模块。
商品特性
- 针对宽带工作(直流 - 4 GHz)进行优化
- 25 W P3dB连续波窄带功率
- 10 W P3dB连续波宽带功率(0.05 - 1 GHz)
- 可在高达32 V电压下工作
- 100%射频测试
- 热增强型表面贴装封装
- 高可靠性镀金工艺
- 受EAR99出口管制
- 符合RoHS标准
应用领域
- 陆地移动无线电
- 无线基础设施
- 工业、科学和医疗(ISM)频段
- 甚高频/特高频/L/S波段雷达
其他推荐
- XEGAWT-H0-0000-000-00000BU40E5
- 164EL22
- TLP5752H(LF4,E
- SIT9365AI-4E3-28E325.000000
- 748333-9
- F-145XP
- 0757840142
- XTEAWT-02-0000-000000H53
- TFM-105-22-SM-D-A-K
- SIT9365AC-4E3-30E168.040678
- 660-023M13H6-12
- 1510133206
- DBMMP17X2SP
- PSE-360-A-ERA360-S-05
- SIT8209AC-21-33E-98.304000
- CAB80-18-D
- 627-037-361-276
- SIT9365AC-2E1-25N74.175824
- HCPL-3140-360E
- KAS-700-0137
- 3QHM53D1.0-32.833