MASW-011144-DIE
20-40GHz高功率反射式SPDTPIN开关裸片
- 描述
- MASW-011144-DIE是一款高功率SPDT反射式宽带高线性度铝镓砷(AlGaAs)PIN二极管开关,适用于K-和Ka-Band应用,包括点对点无线电。
- 品牌名称
- MACOM
- 商品型号
- MASW-011144-DIE
- 商品编号
- C17515896
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 射频开关 | |
| 电路结构 | 单刀双掷 | |
| 频率 | 20GHz~40GHz | |
| 隔离度 | 30dB | |
| 插入损耗 | 1.1dB |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| P1dB | 40dBm | |
| 工作电压 | 4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 集成控制逻辑 |
商品概述
MASW-011144-DIE是一款高功率单刀双掷(SPDT)、反射式、宽带、高线性度的砷化镓铝(AlGaAs)PIN二极管开关,适用于K和Ka频段应用,包括点对点无线电。 该开关每个射频通道使用一个并联PIN二极管。二极管通过片上偏置网络进行控制,该网络包含一个限流电阻。这些偏置网络简化了开关的控制,无需外部组件。 这款单刀双掷单片微波集成电路(MMIC)采用了MACOM成熟的砷化镓铝PIN二极管技术。开关采用氮化硅进行全面钝化处理,并添加了聚合物层以防止刮擦。这种保护涂层可防止在处理和组装过程中对结和阳极空气桥造成损坏。芯片背面进行了金属化处理,便于采用环氧芯片粘贴工艺。
商品特性
- 宽带性能,20 - 40 GHz
- 低损耗:在30 - 40 GHz频段内小于1 dB
- 高隔离度:在20 - 40 GHz频段内大于30 dB
- 在35 GHz时连续波(CW)功率为40 dBm
- 带有接地-信号-接地(G-S-G)射频焊盘和直流偏置焊盘的芯片
- 每个射频输入均包含直流阻断电容,偏置端带有串联电阻的低通滤波器
- 符合RoHS标准
应用领域
- K和Ka频段应用
- 点对点无线电
- MHDEWT-0000-000N0UF235G
- CWN-462-16-0000
- 628-037-361-277
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- GP55-3832-FTW
- ZSS-112-01-S-D-460
- 6515.17.B
- 330-8744-000
- 380-80-123-00-001101
- L1SP-PNK1002800000
- 97-45-1622S-4(0920)
- LCD10-10AF-L
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- CD14.4101.151
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- LCCF2/0-12-X
- 936000065

