- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
BLF10H6600PSU
适用于发射机和工业应用的LDMOS射频功率晶体管，具有出色的耐用性、高功率增益和效率
- 品牌名称
- Ampleon(安谱隆)
- 商品型号
- BLF10H6600PSU
- 商品编号
- C17515816
- 商品封装
- SOT-539B
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 110V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 220pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.2pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 74pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±11V |
商品概述
一款600 W LDMOS射频功率晶体管,适用于发射机应用和工业应用。该器件出色的抗扰性使其非常适合数字和模拟发射机应用。
商品特性
- 出色的抗扰性(所有相位下电压驻波比 ≥ 40 : 1)
- 最佳的热性能和可靠性,热阻Rth(j - c) = 0.15 K / W
- 高功率增益
- 高效率
- 专为宽带运行设计(400 MHz至1000 MHz)
- 内部输入匹配,实现高增益和最佳宽带运行
- 出色的可靠性
- 易于功率控制
- 符合关于有害物质限制(RoHS)的2002/95/EC指令
应用领域
- 通信发射机应用
- 工业应用
- 10114831-10134LF
- DBU25ST
- 1511175270
- MS3459W24-10S
- SIT8924AAB72-33E-18.000000
- SIT8208AC-GF-25S-4.000000X
- EVALISO1H816GTOBO1
- GCM2165G2A131GA16D
- 11_SMA-50-0-150/033_-E
- 3QHM53D3.0-35.712
- XTEAWT-E0-0000-00000HEE2
- 3QHM53D4.0-24.57696
- CAP-WPWMTMD1
- 701-122-100
- SIT1602BC-23-18S-25.000000
- IPT1-120-03-S-D
- SG-8018CG 39.2000M-TJHPA0
- 09665217702
- SLM534214A-R47MHF
- 103R-560K
- ZSS-103-01-L-D-531