商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 15pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+125℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
- 低导通电阻、低输入电容、超高速开关。
- 高可靠性（采用HVP工艺）。
- 无云母封装使贴装可加工性良好。
- 保证抗雪崩能力。
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