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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 耗散功率(Pd) | 780W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 输入电容(Ciss) | 14nF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在将导通电阻（RDS(ON)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。高效桥式整流器
商品特性
- 浪涌低、开关损耗低。
- 可实现高速开关。
- 温度依赖性降低。
应用领域
- 电机驱动
- 逆变器、转换器
- 光伏、风力发电
- 感应加热设备
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