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SIZF916DT-T1-GE3
2个N沟道 耐压:30V 电流:23A 电流:40A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIZF916DT-T1-GE3
- 商品编号
- C17513202
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.8mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 29.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.32nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 260pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.84nF |
商品概述
CENTRAL SEMICONDUCTOR 的 CMKDM8005 由双 P 沟道增强型硅 MOSFET 组成，专为高速脉冲放大器和驱动器应用而设计。这些 MOSFET 具有极低的 rDS(ON) 和低阈值电压。
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 集成肖特基二极管的SkyFET低端MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
-CPU核心电源-计算机/服务器外设负载点电源-同步降压转换器-电信DC/DC电源
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