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STGW20NC60V
STGW20NC60V
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- 描述
- 该IGBT采用先进的PowerMESH™工艺，在开关性能和低导通状态特性之间实现了出色的平衡。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STGW20NC60V
- 商品编号
- C17513074
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 4.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 60A | |
| 耗散功率(Pd) | 200W | |
| 输出电容(Coes) | 225pF | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.5V@20A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 3.75V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 100nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 2.2nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 31ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 100ns | |
| 导通损耗(Eon) | 220uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 330uJ | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 反向传输电容(Cres) | 50pF |
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