BIDW50N65T
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 100A | |
| 耗散功率(Pd) | 416W | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 123nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 开启延迟时间(Td(on)) | 37ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 125ns | |
| 导通损耗(Eon) | 3mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.1mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 37.5ns | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
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