- 引脚图
- 焊盘图
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BIDW50N65T
BIDW50N65T
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- 品牌名称
- BOURNS
- 商品型号
- BIDW50N65T
- 商品编号
- C17512645
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 416W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 100A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 150A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.65V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 123nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 2.723nF | |
| 输出电容(Coes) | 230pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 55pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 37ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 125ns | |
| 导通损耗(Eon) | 3mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.1mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 37.5ns | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
BIDW50N65T绝缘栅双极晶体管（IGBT）结合了MOS栅极和双极晶体管的技术，是高压和大电流应用的理想组件。该器件采用沟槽栅场截止技术，能更好地控制动态特性，同时降低集电极 - 发射极饱和电压（VCE(sat)）和开关损耗。此外，这种结构还具有较低的热阻R(th)。
商品特性
- 1650V、50A
- 低集电极 - 发射极饱和电压（VCE(sat)）
- 新型沟槽栅场截止技术
- 优化导通性能
- 符合RoHS标准
应用领域
开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、功率因数校正（PFC）、逆变器
- 1-2842166-2
- DD26M2S50V50
- 2-87499-5
- 3090-101G
- P3519-331K
- SG-8018CG 74.2000M-TJHSA0
- 1718140008
- 0446-2-17-80-30-14-02-0
- 598ABB000252DGR
- 121668-0102
- 3-2842241-0
- SG-8018CG 24.1000M-TJHSA0
- S4924-331K
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- 625-015-662-533
- 25QHM53D2.0-38.7072
- SG-8018CA 78.7000M-TJHSA0
- FTLF8532P5BNV-C
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