- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 其他模块 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | - |
商品特性
- 五个对称的吸收式射频端口
- 高隔离度
- 900 MHz时为61 dB
- 2100 MHz时为55 dB
- 2700 MHz时为52 dB
- 4000 MHz时为44 dB
- 高线性度
- IIP2为96 dBm
- IIP3为57 dBm
- 兼容1.8V控制逻辑
- 工作温度达105℃
- 快速切换时间为265 ns
- 三引脚CMOS逻辑控制
- 外部负电源选项
- ESD性能
- 射频引脚到地4kV HBM
- 所有引脚1.5kV HBM
应用领域
- 3G/4G无线基础设施
- 其他高性能RF应用
- SG-8018CG 40.0079M-TJHPA0
- SIT9365AI-1B1-25E30.720000
- DB105L-BP
- MOLC-135-02-L-Q
- 3-641228-8
- 103-121K
- SIT9365AI-1B3-28N325.000000
- 25QHM53D4.0-38.000
- SIT1602BC-23-33N-25.000000
- HLE-113-02-F-DV-PE-BE-LC
- BLU0805-4992-BT25W
- CT9555F-680-TH
- M83723/60-222ZT
- SIT9122AC-2B3-25E300.000000
- CB3LV-5I-6M176000
- SG-8018CG 4.6390M-TJHSA0
- 3QHM53C1.5-35.712
- 5513508804NF
- SIT1602BC-83-30E-66.600000
- SIT8209AI-81-25S-212.500000
- 628-21W4624-4TE