NTE912
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 50mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 15V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 40 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | - | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 40nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 230mV | |
| 工作温度 | -55℃~+125℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 数量 | 5个NPN |
商品概述
NTE912由五个通用硅NPN晶体管组成,它们位于一个共同的单片衬底上,采用14引脚双列直插式(DIP)封装。其中两个晶体管内部相连,形成差分连接对。NTE912的晶体管非常适合直流至甚高频范围内的低功率系统中的各种应用。它们可以在传统电路中用作分立晶体管。此外,它们还具有集成电路固有的显著优势,即电气和热匹配性好。
商品特性
- 两对匹配晶体管:VBE匹配 ±5mV,输入失调电流最大2μA,Ic = 1mA
- 五个通用单片晶体管
- 直流至120MHz工作
- 宽工作电流范围
- 低噪声系数:典型值3.2dB @ 1kHz
应用领域
所有类型的信号处理系统(工作频率范围从直流到甚高频)、定制设计的差分放大器、温度补偿放大器
- 510GBB19M2000CAGR
- XHP50D-H0-0000-0D00J40CB
- TFM-105-02-S-D-K
- SIT1602BC-81-28N-6.000000
- FI-WE21P-HFE-E1500
- CA18220-6
- 160-9
- EJH-105-01-S-D-SM-LC-05-P
- 6163.0001
- SIT8209AI-82-33E-156.253906
- 564AABA002010ACGR
- RT012AS3600KN
- B57421V2332J062
- AMN33111
- SG-8018CE 135.5000M-TJHPA0
- SG-8018CA 12.8000M-TJHPA0
- SBR8220
- RM102PJ160CS
- 516-056-500-305
- CRBV55BE-1350-1400
- SIT8008BC-83-18E-100.000000

