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MWT-PH7F

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品牌名称: AEI
商品型号: MWT-PH7F
商品编号: C17510178
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

MwT-PH7F是一款AlGaAs/InGaAs赝配高电子迁移率晶体管(Pseudomorphic-High-Electron-Mobility-Transistor,pHEMT)器件,其标称栅长为0.25微米,栅宽为250微米,非常适合在高达28 GHz频率范围内需要高增益和中功率的应用。该器件在宽带(如6至18 GHz)或窄带应用中同样有效。该芯片采用可靠的金属系统制造,并进行了钝化处理,以确保出色的可靠性。

商品特性

18 GHz时功率为24.5 dBm
18 GHz时典型小信号增益为15 dB
18 GHz时典型功率附加效率(PAE)为45%
0.25 x 250微米难熔金属/金栅极
非常适合高增益和高功率附加效率应用

应用领域

-商业应用

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	漏源电压(Vdss)	-
	连续漏极电流(Id)	-
	导通电阻(RDS(on))	-
	耗散功率(Pd)	-
	阈值电压(Vgs(th))	-

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	-
	输入电容(Ciss)	-
	反向传输电容(Crss)	-
	工作温度	-
	类型	-
	输出电容(Coss)	-