商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
这新一代的沟槽 MOSFET 采用了独特的结构，结合了低导通电阻和快速开关速度的优势。这使它们非常适合用于高效率、低电压的电源管理应用。
商品特性
~~- 低导通电阻-快速开关速度-低阈值-低栅极驱动-薄型 SOIC 封装
应用领域
- DC-DC 转换器-电源管理功能-断开开关-电机控制
其他推荐
- 1/2-6-1120
- LCCX1/0-14A-X
- EB171A-06-H
- RT055AL4700KB
- SIT8208AI-31-18S-50.000000
- 660-049XW19G5-76
- ECX-L35CM-156.250
- SIT1602BC-33-33N-14.000000
- 25QHM572C0.5-34.4347
- MS16M12E7
- AD42/280-0
- 1648295-1
- 1-102536-8
- 626241-3
- EGG.3B.671.ZZM
- 152210-0113-GB
- SIT1602BI-82-XXE-6.000000
- 5640100299F
- 687-027Z110W
- MWDM1L-37SCBRP-.150
- MKL05Z16VLC4557