NTE2393
1个N沟道 耐压:500V 电流:10A
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- 品牌名称
- NTE Electronics
- 商品型号
- NTE2393
- 商品编号
- C17510080
- 商品封装
- TO-3P
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 670mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
NTE2393是一款采用TO3P封装的N沟道增强型功率MOS场效应晶体管，专为高压、高速应用而设计，如离线开关电源、不间断电源（UPS）、交流和直流电机控制、继电器及螺线管驱动器。
商品特性
- 漏极电流:在 TC = +25℃时,ID = 10 A
- 漏源电压:VDSS 最小值为 500 V
应用领域
- 开关模式电源
- 电机控制
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