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W29N04GVBIAF TR实物图
  • W29N04GVBIAF TR商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

W29N04GVBIAF TR

W29N04GVBIAF TR

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描述
W29N04GV是一款4Gbit的3.3V NAND FLASH存储器,适用于低功耗应用。其组织结构为512MB,每个块包含64个可编程页面,每个页面大小为2112字节(2048 + 64字节)。支持单级单元(SLC)技术,提供高速读写性能和低功耗。
品牌名称
Winbond(华邦)
商品型号
W29N04GVBIAF TR
商品编号
C17508965
商品封装
FBGA-63(11x9)​
包装方式
编带
商品毛重
0.382克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录NAND FLASH
存储容量4Gbit
工作电压2.7V~3.6V
写周期时间(Tw)25ns
属性参数值
页写入时间(Tpp)250us
块擦除时间(tBE)2ms
数据保留 - TDR(年)10年
工作温度-40℃~+85℃

数据手册PDF