商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | 1V | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 漏源电流(Idss) | 1.5mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| FET类型 | N沟道 |
- ECX-P27BN-12.288
- M6P-AAS1-12ER
- P160R-473FS
- 3QHM53C1.5-133.333
- 82080-6006RB
- 2105-4-01-50-00-00-07-0
- 09675097615
- 1N6772
- F20A08505ACFA06E
- 16-35W000-11-RC
- 483-10-206-00-001101
- 16-8625-71
- SIT9365AC-2E3-25N322.265625
- 1707-0-19-01-30-02-10-0
- 531226-1
- 7-147324-1
- 65496-153LF
- SIT1618AA-83-33E-16.000000
- D38999/33T19R
- 5157675
- 3QHM572D0.5-25.126