商品参数
参数完善中
商品概述
ADG1412L是一款单片互补金属氧化物半导体(CMOS)器件,包含四个可独立选择的开关,采用iCMOS工艺设计。工业CMOS(iCMOS)是一种将高压CMOS和双极技术相结合的模块化制造工艺。 导通电阻曲线在整个模拟输入范围内保持平坦,确保在切换信号时具有出色的线性度和低失真(典型值为1.5 Ω)。 外部VL电源为较低逻辑控制提供了灵活性。ADG1412L同时符合1.2 V和1.8 V JEDEC标准。 ADG1412L包含四个独立的单刀单掷(SPST)开关,这些开关在逻辑电平为1时导通。每个开关导通时在两个方向上的导通性能相同,并且输入信号范围可扩展至电源电压。在关断状态下,高达电源电压的信号电平会被阻断。
商品特性
- 25℃时,±15 V双电源下导通电阻为1.5 Ω
- 25℃时,±15 V双电源下导通电阻平坦度为0.3 Ω
- 25℃时,±15 V双电源下通道间导通电阻匹配度为0.1 Ω
- 在±15 V、±12 V、±5 V条件下进行全面规格测试
- ±4.5 V至±16.5 V双电源工作
- 5 V至16.5 V单电源工作
- 具备VL电源,可实现低逻辑电平兼容性
- 符合1.8 V JEDEC标准(JESD8 - 7A)
- 符合1.2 V JEDEC标准(JESD8 - 12A.01)
- 轨到轨工作
- 24引脚、4 mm × 4 mm LFCSP封装
- 全温度范围内最大导通电阻为2.6 Ω
- 最小失真
- 数字输入浮空时保证开关关断
应用领域
- 自动化测试设备
- 数据采集系统
- 电池供电系统
- 采样保持系统
- FPGA和微控制器系统
- 音频信号路由
- 视频信号路由
- 通信系统
- 继电器替代
- M22XP-MSF02-E30-W
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