PMN30UNE115
20V, N沟道沟槽MOSFET
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- 描述
- N沟道增强型场效应晶体管，采用Trench MOSFET技术的小型SOT457 (SC-74) 表面贴装塑料封装。适用于LED驱动、电源管理和低侧负载开关等应用。
- 品牌名称
- NXP(恩智浦)
- 商品型号
- PMN30UNE115
- 商品编号
- C17506355
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 其他接口 | |
| 工作电压 | 20V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |