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IS66WVO32M8DBLL-133BLI-TR

256Mb Octal RAM 串行 PSRAM 存储器，支持 200MHz DTR OPi 协议

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品牌名称: ISSI(美国芯成)
商品型号: IS66WVO32M8DBLL-133BLI-TR
商品编号: C17504464
商品封装: TFBGA-24(6x8)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.166克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	PSRAM(伪静态)

	属性	参数值
	功能特性	刷新冲突指示；硬件复位功能；自动掉电功能

商品概述

IS66/67WVO32M8DALL/BLL是集成内存设备，包含256Mb伪静态随机存取存储器，采用自刷新DRAM阵列，组织形式为32M字×8位。该设备支持八进制外设接口（通过8个SIO引脚传输地址、命令和数据）、极低信号数量（11个信号引脚；SCLK、CS#、DQSM和8个SIO）、隐藏刷新操作以及汽车级温度（A2，-40°C至+105°C）操作。由于采用DTR操作，最小传输数据大小以字（16位）为基础，而非字节（8位）为基础。

商品特性

行业标准串行接口
八进制外设接口（OPI）协议
低信号数量：11个信号引脚（CS#、SCLK、DQSM、SIO0~SIO7）
高性能
最高400MB/s
双倍传输速率（DTR）操作
1.8V VCC时为200MHz（400MB/s）
3.0V VCC时为133MHz（266MB/s）
读操作期间的源同步输出信号（DQSM）
写操作期间的数据掩码（DQSM）
读写操作的可配置延迟
支持可变延迟模式和固定延迟模式
可配置驱动强度
支持环绕突发模式和连续突发模式
支持深度掉电模式
隐藏刷新
突发操作
可配置的环绕突发长度：16、32、64和128
字序突发序列
连续突发操作：持续读操作直到数组地址结束
即使在数组地址结束后仍继续写操作
低功耗
单1.7V至1.95V电压供电
单2.7V至3.6V电压供电
35mA有源读电流（1.8V，最大值）
1200μA待机电流（105°C，最大值）
30μA深度掉电电流（1.8V，105°C，最大值）
硬件特性
SCLK输入：串行时钟输入
SIO0 - SIO7：串行数据输入或串行数据输出
DQSM：
命令、地址事务期间作为刷新冲突指示器输出
读数据事务期间作为读数据选通输出
写数据事务期间作为写数据掩码输入
RESET#：硬件复位引脚
温度等级
工业级：-40°C至+85°C
自动（A2）级：-40°C至+105°C
行业标准封装
B = 24球TFBGA 6x8mm 5x5阵列
KGD（联系工厂）

数据手册PDF

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