商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 389W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 180pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
商品概述
MwT-3F是一款砷化镓（GaAs）金属半导体场效应晶体管（MESFET）器件，其标称栅长为0.25微米，栅宽为300微米，非常适合在500 MHz至26 GHz频率范围内需要高增益和线性度、功率输出范围为+20至+22 dBm的应用。MwT-3F在宽带（如6至18 GHz）或窄带应用中同样有效。所有芯片均采用氮化硅（SiN）进行钝化处理。
商品特性
-DMOS结构-用于宽带操作的低电容-共源极配置
应用领域
- 商业应用
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