Name: Infineon/CYPRESS(赛普拉斯) S34ML01G204TFA010
Brand: Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
SKU: C17498881
Price: 6.63 CNY
Availability: OutOfStock

密度：1 Gbit / 2 Gbit / 4 Gbit
架构：输入/输出总线宽度为 8 位/16 位
页面大小：
- x8：
  - 1 Gbit：(2048 + 64) 字节；64 字节备用区
  - 2 Gbit / 4 Gbit：(2048 + 128) 字节；128 字节备用区
- x16：
  - 1 Gbit：(1024 + 32) 字；32 字备用区
  - 2 Gbit / 4 Gbit：(1024 + 64) 字；64 字备用区
块大小：64 页
- x8：
  - 1 Gbit：128k + 4k 字节
  - 2 Gbit / 4 Gbit：128k + 8k 字节
- x16：
  - 1 Gbit：64k + 2k 字
  - 2 Gbit / 4 Gbit：64k + 4k 字
平面大小：
- x8：
  - 1 Gbit：每个平面 1024 块或 (128M + 4M) 字节
  - 2 Gbit：每个平面 1024 块或 (128M + 8M) 字节
  - 4 Gbit：每个平面 2048 块或 (256M + 16M) 字节
- x16：
  - 1 Gbit：每个平面 1024 块或 (64M + 2M) 字
  - 2 Gbit：每个平面 1024 块或 (64M + 4M) 字
  - 4 Gbit：每个平面 2048 块或 (128M + 8M) 字
页面读取/编程：
- 随机访问：25 μs（最大）(S34ML01G2)
- 随机访问：30 μs（最大）(S34ML02G2, S34ML04G2)
- 顺序访问：25 ns（最小）
- 编程时间/多平面编程时间：300 μs（典型）
块擦除 (S34ML01G2)：
- 块擦除时间：3 ms（典型）
块擦除/多平面擦除 (S34ML02G2, S34ML04G2)：
- 块擦除时间：3.5 ms（典型）

	属性	参数值
	商品目录	NAND FLASH
	存储容量	1Gbit
	接口类型	Parallel
	时钟频率(fc)	-
	工作电压	2.7V~3.6V
	写周期时间(Tw)	25ns
	页写入时间(Tpp)	-

	属性	参数值
	块擦除时间(tBE)	-
	数据保留 - TDR(年)	-
	工作温度	-40℃~+85℃
	待机电流	100uA
	擦写寿命	10万次
	功能特性	硬件写保护功能；读缓存功能；OTP区域写保护与锁定功能；ECC纠错功能；复制回写功能

S34ML01G204TFA010

商品参数

商品特性

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