TPS2379EVM-106

TPS2379EVM - 106可对TPS2379设备进行全面评估。以太网电源从J1施加到T1/T2，并从T1/T2中心抽头降至二极管桥（D3/D4/D8/D9或D5/D6/D10/D11）。每个中心抽头的串联R - C电路有助于平衡以太网电缆阻抗，对ESD和EMI/EMC性能至关重要。这些电路通过高压电容C9在TP10（EGND）处终止。二极管桥的输出端是TPS2379的EMI/EMC滤波器和瞬态保护。R7提供检测特征，R8为PSE提供4类特征电阻。可在J6上安装分流器以呈现12.5kΩ的检测特征电阻，在J7上安装分流器以呈现45.2Ω（55mA）的类别特征电阻。在TPS2379（U1）右侧是PD控制器的开关侧。TPS2379的RTN引脚提供浪涌限制开启和大容量电容C3的充电。浪涌期间，TPS2379的GATE引脚被拉低（相对于VSS），禁用外部升压MOSFET Q2。浪涌完成后，GATE引脚变高，通过Q2和TPS2379内部MOSFET启用并联传导路径。当TP12和TP11之间的电压达到Q1的基极 - 发射极导通阈值时，Q1为外部MOSFET提供电流限制。此外，在浪涌期间，TPS2379的CDB引脚被拉低（相对于RTN引脚）。由于CDB引脚连接到Q3的栅极，浪涌期间Q3关闭，J4引脚1不连接到RTN引脚。这使得在EVM测试期间输出负载保持连接。LED D1和D2分别提供T2P和ON的操作视觉指示。

• 千兆以太网直通接口
• 为“易用性”负载提供开关输出回路
• GATE输出以驱动外部MOSFET
• 为非标准应用提供额外检测和类别特征选择
• 具有状态标志（T2P）和LED的IEEE 802.3at 2类硬件分类
• DC/DC转换器使能（CDB）
• 坚固的100 V、0.5 Ω内部热插拔MOSFET和100 V、64 mΩ外部MOSFET
• 四对PSE提供超过60W的工作功率

符合IEEE 802.3at标准的设备、视频和VoIP电话、多频段接入点、安全摄像头、微微基站