立创商城logo
购物车0
IXBX75N170A实物图
  • IXBX75N170A商品缩略图
  • IXBX75N170A商品缩略图
  • IXBX75N170A商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IXBX75N170A

BiMOSFET单芯片双极型MOS晶体管,具备高阻断电压、快速开关、高电流处理能力、反并联二极管等特性

品牌名称
Littelfuse/IXYS
商品型号
IXBX75N170A
商品编号
C17498368
商品封装
TO-247-3​
包装方式
管装
商品毛重
7.562克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录IGBT管/模块
IGBT类型-
耗散功率(Pd)1.04kW
集射极击穿电压(Vces)1.7kV
集电极电流(Ic)110A
栅极阈值电压(Vge(th))6V@15V,42A
栅极电荷量(Qg)358nC
属性参数值
开启延迟时间(Td(on))26ns
关断延迟时间(Td(off))418ns
导通损耗(Eon)-
关断损耗(Eoff)3.8mJ
反向恢复时间(Trr)360ns
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

商品特性

  • 国际标准封装
  • 高阻断电压
  • 快速开关
  • 高电流处理能力
  • 反并联二极管
  • 高功率密度
  • 低栅极驱动要求
  • 集成二极管可用于保护

应用领域

  • 开关模式和谐振模式电源
  • 不间断电源(UPS)
  • 交流电机驱动器
  • 高压MOSFET的替代品

数据手册PDF