商品参数
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| 功能特性 | - |
商品概述
PE42442是一款采用HaRP技术增强的吸收式SP4T射频开关，专为3G/4G无线基础设施和其他高性能射频应用而设计。该开关是PE42451的引脚兼容四掷版本，具有更宽的频率和电源范围。它由四个对称的射频端口组成，在高达6 GHz的频率下具有很高的隔离度。集成的CMOS解码器便于实现两引脚或三引脚的1.8V CMOS控制接口。此外，如果射频端口上存在0 VDC，则无需外部隔直电容。PE42442采用pSemi的UltraCMOS工艺制造，这是一种在蓝宝石衬底上的绝缘体上硅（SOI）技术的专利变体。pSemi的HaRP技术增强功能可实现高线性度和出色的谐波性能。这是UltraCMOS工艺的一项创新特性，兼具砷化镓的性能以及传统CMOS的经济性和集成度。
商品特性
- 四个对称的吸收式射频端口
- 高隔离度
- 900 MHz时为61 dB
- 2100 MHz时为55 dB
- 2700 MHz时为52 dB
- 4000 MHz时为43 dB
- 6000 MHz时为32 dB
- 高线性度
- 二阶交调截点（IIP2）为97 dBm
- 三阶交调截点（IIP3）为58 dBm
- 与1.8V控制逻辑兼容
- 工作温度为125 ~ °C
- 快速开关时间为255 ns
- 两引脚或三引脚CMOS逻辑控制
- 可选外部负电源
- ESD性能
- 射频引脚到地的人体模型（HBM）静电放电为4 kV
- 所有引脚的人体模型（HBM）静电放电为2 kV
应用领域
3G/4G无线基础设施、高性能射频应用
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