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CMKDM8005 TR PBFREE
2个P沟道 耐压:20V 电流:650mA
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- 品牌名称
- Central(中环)
- 商品型号
- CMKDM8005 TR PBFREE
- 商品编号
- C17497608
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 650mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 250mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 栅极电压(Vgs) | 8V |
商品概述
CENTRAL SEMICONDUCTOR 的 CMKDM8005 由双 P 沟道增强型硅 MOSFET 组成,专为高速脉冲放大器和驱动器应用而设计。这些 MOSFET 具有极低的 rDS(ON) 和低阈值电压。
商品特性
- 高达 1800V 的静电放电(ESD)保护(人体模型)
- 350mW 功耗
- 极低的 rDS(ON)
- 低阈值电压
- 逻辑电平兼容
- 小型 SOT-363 表面贴装封装
应用领域
-负载开关/电平转换-电池充电-升压开关-电致发光背光源
- IXBN75N170
- SIT8208AI-3F-25E-48.000000X
- GCM31MR71H104KA37K
- ISM95-6251AH-25.000MHZ
- SIT8208AC-2F-28E-66.600000T
- 622-M15-260-WN1
- SG-8018CA 13.521270M-TJHPA0
- SG-8018CG 50.0933M-TJHSA0
- GT8E-10P-2H(55)
- FN388-4-21
- VVB010
- TFM-115-22-SM-D-LC
- FR2A-LTP
- LM75BIMX-3+
- SPMWHT541ML5XAU0S0
- SIT8208AC-8F-25E-66.666660X
- B84771M0010A000
- SG-8018CA 72.6000M-TJHPA0
- SIT8208AC-2F-18E-72.000000T
- SG-8018CB 124.4160M-TJHPA0
- NXFT15XV103FA1B130