- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 20A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 25V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 直流电流增益(hFE) | 40 | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 4V | |
| 数量 | 1个NPN |
商品概述
该射频线路NPN硅功率晶体管专为工业、商业和业余无线电设备中频率达30 MHz的功率放大器应用而设计。
商品特性
- 指定12.5 V、30 MHz特性
- 输出功率 = 80 W
- 最小增益 = 12 dB
- 效率 = 50%
应用领域
工业、商业和业余无线电设备中的功率放大器
- RCS1608F160CS
- 0917161531
- 1-104071-4
- SIT8208AI-3F-33E-66.666660X
- SLM463710A-R52MHF
- TFML-115-02-S-D-K-TR
- INN4177C-H188-TL
- 627-21W4224-5TB
- DSC1004CI2-054.0000
- 2010213154
- 627-36W4624-5N1
- SF5404-TR
- 627-M25-220-GN3
- SIT8208AC-G1-33E-24.576000Y
- BFS-U3-23S3M-C
- CA70C4002MMT
- RN2704,LF
- PTA3043-2010CIB502
- FTLX3671MTC57-C
- 208008-2
- FN9222ESR-1-06