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1ED3121MC12HXUMA1

单通道5.7 kV（rms）隔离式栅极驱动器IC，带有源米勒钳位或独立输出

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描述: 1ED31xxMC12H（1ED-X3 Compact）栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。它们在独立的源极和漏极引脚处可提供高达14.0 A的典型输出电流，或在配备额外3.0 A有源密勒钳位时提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚工作在3 V至15 V的宽输入电压范围内，采用CMOS阈值电平，以支持3.3 V微控制器
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: 1ED3121MC12HXUMA1
商品编号: C17497486
商品封装: SOIC-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.4克(g)

商品参数

	属性	参数值
	下降时间(tf)	15ns
	传播延迟 tpLH	90ns
	传播延迟 tpHL	90ns
	特性	欠压保护(UVP)；短路保护(SCP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	输入高电平(VIH)	2.5V
	输入低电平(VIL)	1.1V
	静态电流(Iq)	1.1mA

商品概述

1ED31xxMC12H（1ED-X3 Compact）栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装的单通道、电气隔离式栅极驱动IC，适用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET。它们在独立的源极和漏极引脚处可提供高达14.0 A的典型输出电流，或在配备额外3.0 A有源米勒钳位时提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚使用CMOS阈值电平，可在3 V至15 V的宽输入电压范围内工作，以支持3.3 V微控制器。通过无芯变压器技术实现跨隔离屏障的数据传输。所有型号均具备逻辑输入和驱动器输出欠压锁定（UVLO）以及主动关断功能。这些栅极驱动器已通过VDE 0884-11和UL 1577认证。

商品特性

单通道隔离式栅极驱动器
适用于600 V/650 V/1200 V/1700 V/2300 V的IGBT、Si和SiC MOSFET
典型峰值输出电流高达14.0 A
绝对最大输出电源电压为40 V
高共模瞬态抗扰度CMTI > 200 kV/μs
独立的源极和漏极输出，或具备主动关断和短路钳位功能的有源米勒钳位
电气隔离式无芯变压器栅极驱动器
3.3 V和5 V输入电源电压
适用于高温环境和快速开关应用
认证：VDE 0884-11，V|0RM = 1767 V（峰值）（证书编号40052310）；UL 1577，V|S0 = 5.7 kV（有效值），持续1分钟（文件编号E311313）

应用领域

交流和无刷直流电机驱动器
高压DC-DC转换器和DC-AC逆变器
感应加热谐振应用
UPS系统
商用空调（CAC）
服务器和电信开关电源（SMPS）
太阳能逆变器，例如用于1500 V（直流）系统

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET；IGBT
	驱动通道数	1
	灌电流(IOL)	5.5A
	拉电流(IOH)	5.5A
	工作电压	10.5V~35V
	上升时间(tr)	30ns