- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
APT30GN60BDQ2G
APT30GN60BDQ2G
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT30GN60BDQ2G
- 商品编号
- C17496567
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 203W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 63A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 90A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.5V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 1.9V@15V,30A | |
| 栅极电荷量(Qg) | 165nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 1.75nF | |
| 输出电容(Coes) | 70pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 50pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 12ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 155ns | |
| 导通损耗(Eon) | 525uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 700uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 25ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
这些IGBT采用了最新的场截止和沟槽栅极技术，具有超低的VCE(ON)，非常适合需要极低传导损耗的低频应用。由于参数分布非常紧密且VCE(ON)温度系数略为正，因此易于并联。低栅极电荷简化了栅极驱动设计并将损耗降至最低。
商品特性
- 600V场截止
- 沟槽栅极：低VCE(on)
- 易于并联
- 具有短路承受能力
- 额定温度175℃
应用领域
焊接、感应加热、太阳能逆变器、开关电源、电机驱动、不间断电源
- 516-020-540-402
- DD26S20WE0/AA
- IL-WX-20PB-HF-B-E1000E
- SIT1602BI-73-33E-24.00000
- NT06683J3435B1G
- DAMY-11W1S-K126
- P160-683HS
- SIT8208AI-22-18E-4.000000
- CVRI-RH-60400
- P3519R-155K
- SIT8208AI-22-18S-66.666600
- EV-VND5E050J
- M39029/9-517
- DAMM-15S-F179
- SIT9365AI-4B1-25E75.000000
- EVAL-ADXL363Z
- SIT9365AC-4E3-30N30.720000
- 3709
- SG-8018CE 12.365487M-TJHPA0
- 627-17W2224-3NC
- VS-E5PW3006LHN3