VOS618A-3T
DC 3.75kV
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- 描述
- VOS618A系列采用了砷化镓(GaAs)红外发射二极管发射器,该发射器与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并采用4引脚、引脚间距为50密耳的微型扁平封装。其特点是在低输入电流下具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- VOS618A-3T
- 商品编号
- C17494890
- 商品封装
- SOIC-4-175mil
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.25克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 晶体管输出光耦 | |
| 输入类型 | DC | |
| 输出类型 | 光电三极管 | |
| 正向压降(Vf) | 1.1V | |
| 输出电流 | 50mA | |
| 隔离电压(Vrms) | 3.75kV | |
| 直流反向耐压(Vr) | 6V | |
| 负载电压 | 80V | |
| 输出通道数 | 1 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 120mV@1mA,0.25mA | |
| 上升时间(tr) | 5us | |
| 下降时间 | 7us | |
| 工作温度 | -55℃~+110℃ | |
| 电流传输比(CTR)最小值 | 100% | |
| 电流传输比(CTR)最大值/饱和值 | 200% | |
| 总功耗(Pd) | 170mW | |
| 正向电流(If) | 50mA | |
| 功能特性 | - |
商品概述
VOS618A系列包含一个砷化镓(GaAs)红外发射二极管发射器,它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并采用4引脚、引脚间距为50 mil的迷你扁平封装。 该系列产品在低输入电流下具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。 这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。
商品特性
- 低输入电流下具有高电流传输比(CTR)
- 薄型封装(半间距)
- 高集电极 - 发射极电压,VCEO = 80 V
- 隔离测试电压 = 3750 VRMS
- 低耦合电容
- 高共模瞬态抗扰度
应用领域
- 电信
- 工业控制
- 电池供电设备
- 办公设备
- 可编程控制器
- TFM-130-32-L-D-A-K
- JANTXV1N6065A/TR
- BPDH00060618220T00
- GCM31C5C3A102GX03L
- SIT8208AC-G2-18S-72.000000X
- 0014567207
- RCS2012F1430CS
- K42X-E9P/P-A4NJ30
- SG-8018CG 25.5454M-TJHPA0
- DC37-SL-24
- SG-8018CB 50.4200M-TJHPA0
- 3500FB39A0050001E
- PCS124-151M-RC
- SG-8018CB 9.6500M-TJHPA0
- SIT8208AI-3F-18E-12.800000T
- XD16AWT-H0-0000-00000BJ5E
- CTCDRH3D28/LDF-180M
- 628-M25-321-GT4
- 630-21W4650-3T5
- RD50S1S50T2S
- BQ24075TEVM
