AOD5B65N1
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 10A | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.2nC | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 8ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 73ns | |
| 反向恢复时间(Trr) | 170ns | |
| 工作温度 | - |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个2500个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交0单
其他推荐
- 103-390J
- 628-13W6224-3N6
- CMR3U-02 TR13 PBFREE
- 634C12503I3T
- HIF6H-80PA-1.27DS(71)
- SFH615A-2X001
- SIT8208AC-3F-28S-33.330000T
- K86X-BA-44P-KJ
- XPGDWT-H1-0000-00KE6
- 103R-562KS
- L1T2-5070000002900
- XTEAWT-00-0000-00000HDE2
- RCS1005F3241CS
- SG-8018CE 35.3250M-TJHPA0
- U1D-E3/5AT
- BPDL00040418150T00
- 0878312221
- 630-2WK2650-1NA
- 621-015-360-055
- GCM1555G1H821GA16D
- SG-8018CE 11.2986M-TJHPA0