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CMLDM8002AG TR PBFREE

2个P沟道耐压:50V 电流:280mA

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品牌名称: Central(中环)
商品型号: CMLDM8002AG TR PBFREE
商品编号: C17492157
商品封装: SOT-563
包装方式: 编带
商品毛重: 0.024克(g)

商品参数

商品概述

这些中央半导体（CENTRAL SEMICONDUCTOR）器件是双芯片P沟道增强型MOSFET，采用P沟道DMOS工艺制造，专为高速脉冲放大器和驱动器应用而设计。CMLDM8002A采用美国引脚排列配置，而CMLDM8002AJ采用日本引脚排列配置，可接受特殊订单。这些特殊的双晶体管器件具有低漏源导通电阻（rDS(on)）和低漏源导通电压（VDS(on)）。

商品特性

双芯片器件
快速开关
低RDS(ON)—— 逻辑电平兼容
低 V\textDS(on) —— 小型SOT - 563封装
低阈值电压

应用领域

-负载/电源开关-电源转换电路-电池供电的便携式设备

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	2个P沟道
	漏源电压(Vdss)	-
	连续漏极电流(Id)	500mA
	导通电阻(RDS(on))	5Ω@5V
	耗散功率(Pd)	-
	阈值电压(Vgs(th))	-

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	720pC@4.5V
	输入电容(Ciss)	70pF
	反向传输电容(Crss)	7pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	P沟道
	输出电容(Coss)	15pF