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SSM6N35FE,LM实物图
  • SSM6N35FE,LM商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SSM6N35FE,LM

2个N沟道 耐压:20V 电流:180mA

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品牌名称
TOSHIBA(东芝)
商品型号
SSM6N35FE,LM
商品编号
C17490755
商品封装
SOT-563(SOT-666)​
包装方式
编带
商品毛重
0.024克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)180mA
导通电阻(RDS(on))20Ω@1.2V,5mA
耗散功率(Pd)150mW
阈值电压(Vgs(th))1V@1mA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)-
反向传输电容(Crss)-
工作温度-
类型N沟道
输出电容(Coss)-

商品特性

  • CoolMOS™
  • 超低导通电阻(RDSon)
  • 低米勒电容
  • 超低栅极电荷
  • 雪崩能量额定值
  • 并联碳化硅(SiC)肖特基二极管
  • 零反向恢复
  • 零正向恢复
  • 开关特性不受温度影响
  • 正向电压(VF)具有正温度系数
  • 开尔文源极,易于驱动
  • 极低杂散电感
  • 对称设计
  • 用于电源连接的引脚框架
  • 内置热敏电阻,用于温度监测
  • 高度集成

应用领域

  • 电机控制
  • 开关电源
  • 不间断电源

数据手册PDF