商品参数
参数完善中
商品特性
- 集成双通道射频前端两段LNA和高功率SPDT开关
- 片上偏置和匹配
- 单电源工作
- 增益：
- 高增益模式：4.6 GHz时典型值33 dB
- 低增益模式：4.6 GHz时典型值18 dB
- 低噪声系数：
- 高增益模式：4.6 GHz时典型值1.6 dB
- 低增益模式：4.6 GHz时典型值1.6 dB
- 高通道间隔离度：
- RxOUT-ChA与RxOUT-ChB之间：典型值45 dB
- TERM-ChA与TERM-ChB之间：典型值53 dB
- 低插入损耗：4.6 GHz时典型值0.50 dB
- 高功率处理能力（T_C=105℃）：
- 全寿命LTE平均功率（9 dB PAR）：40 dBm
- 单事件ζ<10秒操作）LTE平均功率（9 dB PAR）：43 dBm
- 高OIP3：典型值31 dBm
- LNA的关断模式和低增益模式
- 低供电电流：
- 高增益模式：5 V时典型值86 mA
- 低增益模式：5 V时典型值36 mA
- 关断模式：5 V时典型值12 mA
- 正逻辑控制
- 40引脚，6 mm x 6 mm LFCSP封装
应用领域
- 无线基础设施
- TDD 大规模多输入多输出 (MIMO) 和有源天线系统
- 基于 TDD 的通信系统