商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 31A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 65V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 直流电流增益(hFE) | 20 | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 25mA | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 3.5V |
商品概述
该微波脉冲功率硅NPN晶体管设计用于1025 - 1150 MHz脉冲共基极放大器应用,如TCAS、塔康和模式S发射机。在1090 MHz时保证性能,输出功率为350 W峰值,增益最小8.5 dB,典型值9.0 dB。对所有相位角的负载失配进行100%测试,电压驻波比为10:1。采用密封封装,氮化硅钝化。发射极采用金金属化和镇流设计,使用寿命长且抗金属迁移。具备内部输入和输出匹配,采用模式S脉冲格式进行特性表征。
商品特性
- 金金属化,发射极镇流,使用寿命长且抗金属迁移
- 内部输入和输出匹配
- 采用模式S脉冲格式进行特性表征
应用领域
TCAS、塔康、模式S发射机
- SIT8208AI-8F-18E-16.369000T
- DAMAMT15SNM-F225
- QTM750-33.000MBE-T
- 1N3266
- SIT8208AI-G2-33S-60.000000X
- EHF-113-01-L-D-SM-LC-P
- 516-038-000-622
- 628-36W4224-1N6
- LRW0805WS4N7GG001E
- SIT1602BC-31-18S-19.200000
- 1604112-1
- SG-8018CB 13.0200M-TJHPA0
- ISL1485R5171
- GCM1885C2A3R4BA16D
- EHF-113-01-L-D-SM-P
- 714-83-115-31-018101
- TSS-103-02-F-D
- 1N1187AR
- SDUR1530
- SIT8008BI-72-25E-24.545454
- 480-80-230-00-001101

